Defekty i nizkorazmernye struktury v pripoverhnostnyh sloyah germaniya: Analiz i perspektivy

V knige rassmotreny fizicheskie zakonomernosti obrazovaniya defektov v pripoverhnostnyh sloyah Ge v processe deformacii izgiba ili szhatiya v temperaturnom intervale 300-600K. Issledovano vliyanie defektov, vvedennyh v tonkij pripoverhnostnyj sloj, na jeffektivnoe vremya zhizni neosnovnyh nositelej zaryada. Na osnove rassmotrennoj teorii rekombinacii izlozhen novyj nerazrushajushhij metod opredeleniya stepeni defektnosti v pripoverhnostnyh sloyah monokristallov Ge, kotoryj imeet vysokuju strukturnuju chuvstvitel'nost' i lokal'nost' izmerenij. Opisany rezul'taty opticheskoj, jelektronnoj i atomno-silovoj mikroskopii deformirovannyh monokristallov Ge pri temperature T0,35Tpl. Pokazano, chto pri sozdanii v pripoverhnostnyh sloyah gradientov napryazhenij voznikaet massoperenos veshhestva vdol' poverhnosti i iz pripoverhnostnogo sloya - vdol' linij dislokacij na poverhnost'. Predlozhen novyj mehanizm formirovaniya nanostruktur v Ge pri uslovii dislokacionno-poverhnostnoj diffuzii. Poluchennye rezul'taty sposobstvujut razvitiju novogo podhoda k sozdaniju nizkorazmernyh poluprovodnikovyh struktur, osnovannogo na yavleniyah nizkotemperaturnoj diffuzii v pripoverhnostnyh sloyah Ge pri nalichii gradienta mehanicheskih napryazhenij.