Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon MESFET
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- Artikel-Nr.: 10383352
Beschreibung
Chapter 1. Invention and Evaluation of Transistors and Integrated Circuits.- Chapter 2. General overview of the basic structure and operation of a typical silicon on insulator metal-semiconductor field effect transistor SOI-MESFET .- Chapter 3. Modeling of Classical SOI-MESFET.- Chapter 4. Design and modeling of triple-material gate SOI-MESFET.- Chapter 5. Three-dimensional analytical model of the non-classical three-gate SOI-MESFET .- Chapter 6. Analytical investigation of subthreshold performance of SOI-MESFET devices.- Chapter 7. Future works on Silicon-on-insulator metal semiconductor field effect transistors (SOI-MESFETs).
Eigenschaften
Breite: | 178 |
Gewicht: | 350 g |
Höhe: | 17 |
Länge: | 245 |
Seiten: | 122 |
Sprachen: | Englisch |
Autor: | Hossein Mohammadi, Iraj Sadegh Amiri, Mahdiar Hosseinghadiry |
Bewertung
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