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Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon MESFET


Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon MESFET
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  • 10383352


Beschreibung

Chapter 1. Invention and Evaluation of Transistors and Integrated Circuits.- Chapter 2. General overview of the basic structure and operation of a typical silicon on insulator metal-semiconductor field effect transistor SOI-MESFET .- Chapter 3. Modeling of Classical SOI-MESFET.- Chapter 4. Design and modeling of triple-material gate SOI-MESFET.- Chapter 5. Three-dimensional analytical model of the non-classical three-gate SOI-MESFET .- Chapter 6. Analytical investigation of subthreshold performance of SOI-MESFET devices.- Chapter 7. Future works on Silicon-on-insulator metal semiconductor field effect transistors (SOI-MESFETs).

Eigenschaften

Breite: 178
Gewicht: 350 g
Höhe: 17
Länge: 245
Seiten: 122
Sprachen: Englisch
Autor: Hossein Mohammadi, Iraj Sadegh Amiri, Mahdiar Hosseinghadiry

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