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High-Frequency GaN Electronic Devices


High-Frequency GaN Electronic Devices
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  • 10391151


Beschreibung

Chapter 1. Introduction.- Chapter 2.High Power High Frequency Transistors: A Materials Perspective.- Chapter 3. Isotope Engineering of GaN for Boosting Transistor Speeds.- Chapter 4. Linearity Aspects of High Power Amplification in GaN Transistors.- Chapter 5.III-Nitride Tunneling Hot Electron Transfer Amplifier (THETA).- Chapter 6.Plasma-Wave Propagation in GaN and Its Applications.- Chapter 7.Numerical Simulation of Distributed Electromagnetic and Plasma-wave Effect Devices.- Chapter 8.Resonant Tunneling Transport in Polar III-Nitride Heterostructures.- Chapter 9.Fabrication and Characterization of GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes.- Chapter 10.Non-Contact Metrology for mm-wave and THz Electronics.

Eigenschaften

Breite: 157
Gewicht: 636 g
Höhe: 241
Länge: 24
Seiten: 309
Sprachen: Englisch
Autor: Debdeep Jena, Patrick Fay, Paul Maki

Bewertung

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