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Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors


Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors
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  • 10428167


Beschreibung

Chapter 1. Introduction.- Chapter 2. Fundamentals.- Chapter 3. Gate Drivers Based on High-Voltage Charge Storing (HVCS).- Chapter 4. Gate Drivers Based on High-Voltage Energy Storing (HVES).- Chapter 5. Gate Drivers for Large Gate Loops Based on HVES.- Chapter 6. Outlook and FutureWork.- Chapter 7. Conclusion.

Eigenschaften

Breite: 155
Gewicht: 389 g
Höhe: 235
Seiten: 124
Sprachen: Englisch
Autor: Achim Seidel, Bernhard Wicht

Bewertung

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