Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors
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- Artikel-Nr.: 10428167
Beschreibung
Chapter 1. Introduction.- Chapter 2. Fundamentals.- Chapter 3. Gate Drivers Based on High-Voltage Charge Storing (HVCS).- Chapter 4. Gate Drivers Based on High-Voltage Energy Storing (HVES).- Chapter 5. Gate Drivers for Large Gate Loops Based on HVES.- Chapter 6. Outlook and FutureWork.- Chapter 7. Conclusion.
Eigenschaften
Breite: | 155 |
Gewicht: | 389 g |
Höhe: | 235 |
Seiten: | 124 |
Sprachen: | Englisch |
Autor: | Achim Seidel, Bernhard Wicht |
Bewertung
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