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Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion


Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion
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  • 10464381


Beschreibung

Chapter1: Taking the next step in GaN: bulk GaN substrates and GaN-on-Si epitaxy for electronics.- Chapter2: Lateral GaN HEMT structures.- Chapter3: Vertical GaN Transistors for Power Electronics.- Chapter4: Reliability of GaN-based Power devices.- Chapter5: Validating GaN robustness.- Chapter6: Impact of Parasitics on GaN Based Power Conversion.- Chapter7: GaN in AC/DC Power Converters.- Chapter8: GaN in Switched Mode Power Amplifiers.

Eigenschaften

Breite: 156
Gewicht: 526 g
Höhe: 242
Länge: 19
Seiten: 232
Sprachen: Englisch
Autor: Enrico Zanoni, Gaudenzio Meneghesso, Matteo Meneghini

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