Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion
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- Artikel-Nr.: 10464381
Beschreibung
Chapter1: Taking the next step in GaN: bulk GaN substrates and GaN-on-Si epitaxy for electronics.- Chapter2: Lateral GaN HEMT structures.- Chapter3: Vertical GaN Transistors for Power Electronics.- Chapter4: Reliability of GaN-based Power devices.- Chapter5: Validating GaN robustness.- Chapter6: Impact of Parasitics on GaN Based Power Conversion.- Chapter7: GaN in AC/DC Power Converters.- Chapter8: GaN in Switched Mode Power Amplifiers.
Eigenschaften
Breite: | 156 |
Gewicht: | 526 g |
Höhe: | 242 |
Länge: | 19 |
Seiten: | 232 |
Sprachen: | Englisch |
Autor: | Enrico Zanoni, Gaudenzio Meneghesso, Matteo Meneghini |
Bewertung
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